Please use this identifier to cite or link to this item: http://ri.uaq.mx/handle/123456789/1471
Title: Crecimiento de películas semiconductoras de ZnS por la técnica de baño químico
Authors: Junior Fran¿ois, Jean-Claude Octavius
Keywords: Películas semiconductoras
ZnS
Baño químico
Issue Date: 2012
Series/Report no.: RI000923;
Abstract: El sulfuro de zinc (ZnS) es un material muy prometedor como sustituto del sulfuro de cadmio (CdS) en dispositivo optoeléctricos. Es un compuesto semiconductor debanda directa, por lo que tiene una gran variedad de aplicaciones industriales. En este trabajo de tesis, se presentan los resultados de investigación sobre la obtención de películas semiconductoras de sulfuro de zinc por la técnica de baño químico. Se optimizó una técnica para lograr controlar principalmente la razón de [S]/[Zn]. Después de la obtención de las películas, se midieron sus propiedades estructurales, eléctricas y ópticas. Para ello, las películas se caracterizaron por diferentes técnicas: resistividad, conductividad eléctrica por el método de cuatro puntas, medición de la transmisión y absorción ópticas por espectroscopia ultravioleta-visible, microscopia electrónica de barrido (SEM) y difracción de rayos X. Los resultados serán la base para un estudio posterior de aplicación de las películas obtenidas en la fabricación de una celda solar.
URI: http://hdl.handle.net/123456789/1471
Appears in Collections:Licenciatura

Files in This Item:
File Description SizeFormat 
RI000923.pdf2.49 MBAdobe PDFView/Open


Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.